セミナー

メーカーの仕様を見て実装したはずなのに壊れてしまう不良に悩むユーザーへ!
半導体デバイスの選び方/使い方
~MOSFET、パワーMOSFET、IGBTの基本特性・故障メカニズムを解説します~

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開催主旨

 半導体デバイスは最大定格値内で使用する限り故障しないことが理想ですが、実際にはその定格値内であっても使用環境に応じてある確率で故障する可能性があります。半導体デバイスの出荷時には、良品のみがテスタで選別されて市場に出されますが、良品であっても半導体デバイス製造工程で半導体チップに付着するダストや加工形状のばらつき等により、使用環境によって故障に至る場合があります。
 半導体デバイスを選定する場合、実使用環境(電圧、電流、温度、温度サイクル、及び湿度等)を考慮した耐用年数や故障率を見積もって、実使用期間内(民生品の場合例えば10年、車載品の場合それ以上)で市場不良をできるだけ出さない、或いは限りなくゼロにする必要があります。特に使用環境が厳しい場合、耐用年数が短くなり、故障率が上昇する可能性があります。この様な場合でも、不良をできるだけ出さない実使用期間を確保するには、使用環境条件を緩める(定格値から下げて使う:ディレーティング)が、目標とする動作仕様を満たす半導体デバイスを選定する必要があります。
 このためには、半導体デバイスの特性と故障メカニズムをよく理解しておく必要があります。本セミナーでは、半導体の集積デバイスとして最もよく使われているMOSFETを、また個別デバイスとしてパワーMOSFET及びIGBTを取り上げ、それらの基本特性及び故障メカニズムについて解説します。そして、故障メカニズムに基づいて耐用年数や故障率を見積もり、ディレーティングの仕方を学びます。
 また、半導体デバイスの使い方を誤ると、半導体デバイスに過電圧が印加されあるいは過電流が流れ、故障に至る場合があります。これを避けるには、半導体デバイスの特性と故障メカニズムをよく理解した上で、半導体デバイスの使い方に習熟する必要があります。本セミナーでは、これについても解説します。
 半導体デバイスに慣れていない初心者の方でも十分に理解できるように丁寧に解説します。

概要

日時 2019年 3月 14日(木) 10:00~17:00
(9:30 受付開始 休憩12:30~13:30)
会場 桑山ビル3階 3A会議室
※会場には受講者用の駐車場が有りません。必ず最寄りの公共交通機関でご来場ください。
※当日の録音・録画は固くおことわり申し上げます。
受講料 43,200円(資料含む、消費税込)
※同時複数人数お申し込みの場合2人目から38,880円
※振込手数料は貴社でご負担願います。
※受講料は銀行振込で受講票及び請求書が到着次第、開催日1週間前までにお支払いください。
  なお、キャンセルにつきましては開催日1週間前までの受付とさせて頂きます。
  1週間前までにご連絡がない場合はご欠席の方もキャンセル料として受講料全額を頂きます。
主催 日刊工業新聞社
定員

40名

お問い合わせ先 日刊工業新聞社 業務局
イベント事業部 技術セミナー係
TEL: 03-5644-7222
FAX: 03-5644-7215
E-mail : j-seminar@media.nikkan.co.jp

講師

松田 順一 氏

会場アクセス

桑山ビル3階 3A会議室
名古屋市中村区名駅2-45-19

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プログラム

 1.半導体デバイスの信頼性
  (1)半導体デバイスの故障率推移
     ■初期故障、偶発故障、摩耗故障
  (2)故障率(FIT)、故障寿命の平均値(MTTF)、信頼度
 2.半導体デバイス基本特性
  (1)MOSFET
     ■MOSFET の構造、しきい値電圧(ばらつき、温度依存性)、IDS-VDS とIDS-VGS 特性、弱反転特性、微細効果
  (2)パワーMOSFET
     ■パワーMOSFET の構造、耐圧、特性オン抵抗、スイッチング特性
  (3)IGBT
     ■IGBT の構造、耐圧、オン状態電圧降下、スイッチング特性、トレンチゲートIGBT
 3.故障メカニズム
  (1)ウエハ・プロセス起因
     ■TDDB、ホットキャリア、NBTI、エレクトロ・マイグレーション、ストレス・マイグレーション
  (2)組み立て起因
     ■パッケージ・シフト、パワーサイクル
  (3)ESD、EOS、ラッチアップ
  (4)パワーデバイス
     ■パワーMOSFET、IGBT
 4.半導体デバイス選定及び使用上の注意点
  (1)デバイス選定上の注意事項
     ■最大定格、ディレーティング、トランジスタの安全動作領域(SOA)、高信頼性(車載品含む)用途対応
  (2)回路設計上の注意事項
  (3)電気的破壊からの保護
  (4)測定上の注意事項

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