“フルＳｉＣ”パワーモジュール　（ローム株式会社）

電力変換時の損失低減、機器小型化・部品数減

　世界で初めてダイオードとトランジスタの両方に炭化ケイ素（ＳｉＣ）材料を適応したパワーモジュールを完成した。産業機器、鉄道、電気自動車（ＥＶ）などの電力変換時の損失を大幅に低減できる。現在主流のシリコン製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）と比べてスイッチング損失は８５％減。１００キロヘルツ以上の高周波で動作できるため、定格電流値が数倍のＩＧＢＴからの置き換えも可能だ。機器全体の小型化や部品点数の削減、小型部品への置き換えにもつながる。

　再生可能エネルギーの系統連携や自動車の電動化などで電圧変換機器の使用個所は増加傾向。昇圧・降圧時の変換効率改善による省エネ効果は、国内のＩＧＢＴをすべてＳｉＣ製パワーモジュールに置き換えた場合で３００万キロワットを超えるとも見積もられる。

　さらに高耐圧化、大電流化に向けた開発も急速に進んでいる。普及にはコスト低減が課題だが、採用アプリケーションの拡大などを背景に着実に低価格化に動いている。