開催主旨

　GaNは、発光デバイスや高周波トランジスタとして既に実用化されており、パワーエレクトロニクス分野においても次世代の半導体材料として注目されています。Si、SiCに続く材料として、電力変換分野などでの応用が検討されています。
　本講座では、GaNウェハからパワーデバイスに至る一連の技術について、結晶成長、基板技術、加工・評価技術、デバイスプロセス、デバイス構造までを体系的に整理します。設計・開発に携わる技術者が、材料特性やプロセス条件とデバイス特性の関係を理解するための基礎的視点を解説します。
　さらに、GaNパワーデバイスの設計パラメータや代表的構造、ノーマリオフ化技術などの実用化動向、あわせて材料・プロセス・プレイヤー動向についても概観し、技術開発と実用化の全体像を把握することを目的としています。

受講対象

■ GaNパワーデバイスの基礎から構造・プロセスまで体系的に理解したい技術者
■ 半導体材料・ウェハ・結晶成長などの基礎知識を整理したい設計・開発担当者
■ パワーエレクトロニクス分野における材料技術動向を把握したい研究・開発部門の方
■ デバイス開発における材料特性とプロセスの関係を理解したい技術者

習得可能知識

■GaNウェハからデバイスまでの技術体系を整理し、全体構造を俯瞰できるようになります。
■結晶成長・基板・プロセスがデバイス特性に与える影響を基礎レベルで理解できます。
■主要なGaNパワーデバイス構造と開発動向の位置付けを把握できます。
■材料・プロセス・デバイスの関係性を踏まえた技術判断の基礎視点が得られます。

本セミナーは、オンライン形式でのセミナーとなります。オンラインでのご視聴方法（参加用URL等）はご登録くださいましたメールにお知らせいたします。ZOOMでの視聴が困難な方には別途、こちらの手順を参照のうえブラウザ上でご視聴ください。